VG-4513CB 122.8800M-GGCT3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VG-4513CB 122.8800M-GGCT3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VG-4513CB 122.8800M-GGCT3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VG-4513CB 122.8800M-GGCT3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VG-4513CB 122.8800M-GGCT3
- رقم القطعة:
- VG-4513CB 122.8800M-GGCT3
- الصانع:
- Epson
- وصف:
- OSC VCXO 122.88MHZ LVPECL SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 57450 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 3.3V |
| اكتب: | VCXO |
| حجم / البعد: | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) |
| سلسلة: | VG-4513CB |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-SMD, No Lead |
| الناتج: | LVPECL |
| اسماء اخرى: | 834074 SER3910TR VG-4513CB122.8800M-GGCT3 X1G004151000312 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 21 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.059" (1.50mm) |
| وظيفة: | Enable/Disable |
| تردد الاستقرار: | ±50ppm |
| تردد: | 122.88MHz |
| وصف تفصيلي: | 122.88MHz VCXO LVPECL Oscillator 3.3V Enable/Disable 6-SMD, No Lead |
| الحالي - توريد (ماكس): | 65mA |
| الحالي - توريد (تعطيل) (ماكس): | - |
| الرنان الأساسي: | Crystal |
| نطاق السحب المطلق (أبريل): | ±50ppm |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVG-4513CB 122.8800M-GGCT3
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة