VBO25-14AO2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VBO25-14AO2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VBO25-14AO2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VBO25-14AO2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VBO25-14AO2
- رقم القطعة:
- VBO25-14AO2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE BRIDGE 31A 1400V AVAL FO-A
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 34535 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VBO25-14AO2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 1.4kV |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.36V @ 55A |
| تكنولوجيا: | Avalanche |
| تجار الأجهزة حزمة: | FO-A |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 4-Square, FO-A |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | QC Terminal |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف تفصيلي: | Bridge Rectifier Single Phase Avalanche 1.4kV QC Terminal FO-A |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 300µA @ 1400V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 38A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVBO25-14AO2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VBO25-16AO2 | IXYS Corporation | BRIDGE RECT SGL PHASE 1600V 38A | تحقيق |
|
VBO21-08NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 21A 800V ECO-PAC1 | تحقيق |
|
VBO36-12NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 30A 1200V FO-B | تحقيق |
|
VBO25-16NO2 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 31A 1600V AVAL FO-A | تحقيق |
|
VBO22-18NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 21A 1800V FO-B | تحقيق |
|
VBO22-12NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 21A 1200V FO-B | تحقيق |
|
VBO21-12NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 21A 1200V ECO-PAC1 | تحقيق |
|
VBO30-12NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 35A 1200V PWS-A | تحقيق |
|
VBO30-14NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 35A 1400V PWS-A | تحقيق |
|
VBO22-14NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 21A 1400V FO-B | تحقيق |
|
VBO30-18NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 35A 1800V PWS-A | تحقيق |
|
VBO30-16NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 35A 1600V PWS-A | تحقيق |
|
VBO22-08NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 21A 800V FO-B | تحقيق |
|
VBO25-12NO2 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 31A 1200V STD FO-A | تحقيق |
|
VBO36-08NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 30A 800V FO-B | تحقيق |
|
VBO25-12AO2 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 31A 1200V AVAL FO-A | تحقيق |
|
VBO25-08NO2 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 31A 800V STD FO-A | تحقيق |
|
VBO22-16NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 21A 1600V FO-B | تحقيق |
|
VBO30-08NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 35A 800V PWS-A | تحقيق |
|
VBO25-14NO2 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 31A 1400V STD FO-A | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل