VBO13-16NO2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VBO13-16NO2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VBO13-16NO2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VBO13-16NO2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VBO13-16NO2
- رقم القطعة:
- VBO13-16NO2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- BRIDGE RECT SGL PHASE 1600V 18A
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 33799 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VBO13-16NO2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 1.6kV |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.8V @ 55A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | FO-A |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 4-Square, FO-A |
| اسماء اخرى: | 153837A Q1153837A VBO1316NO2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | QC Terminal |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف تفصيلي: | Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.6kV QC Terminal FO-A |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 300µA @ 1600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 18A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVBO13-16NO2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VBO13-12AO2 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 18A 1200V 1PH FO-A | تحقيق |
|
VBO13-14AO2 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 18A 1400V 1PH FO-A | تحقيق |
 |
VBO130-16NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 122A 1600V FO-A | تحقيق |
|
VBO125-18NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 124A 1800V PWS-C | تحقيق |
|
VBO160-14NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 174A 1400V PWS-E-1 | تحقيق |
|
VBO130-12NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 122A 1200V FO-A | تحقيق |
|
VBO160-16NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 174A 1600V PWS-E-1 | تحقيق |
|
VBO160-08NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 174A 800V PWS-E-1 | تحقيق |
|
VBO13-16AO2 | IXYS Corporation | BRIDGE RECT SGL PHASE AVALANCHE | تحقيق |
|
VBO125-14NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 124A 1400V PWS-C | تحقيق |
|
VBO130-18NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 122A 1800V FO-A | تحقيق |
|
VBO13-14NO2 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 18A 1400V 1PH FO-A | تحقيق |
|
VBO125-12NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 124A 1200V PWS-C | تحقيق |
 |
VBO13-12NO2 | IXYS Corporation | BRIDGE RECT SGL PHASE 1200V 18A | تحقيق |
|
VBO130-08NO7 | IXYS Corporation | BRIDGE RECTIFIER SINGLE PHASE | تحقيق |
|
VBO130-14NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 122A 1400V FO-A | تحقيق |
|
VBO160-12NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 174A 1200V PWS-E-1 | تحقيق |
|
VBO13-08NO2 | IXYS Corporation | BRIDGE RECT SGL PHASE 800V 18A | تحقيق |
|
VBO160-18NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 174A 1800V PWS-E-1 | تحقيق |
|
VBO125-16NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 124A 1600V PWS-C | تحقيق |
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي