VB125ASP-E متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VB125ASP-E، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VB125ASP-E عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VB125ASP-E مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VB125ASP-E
- رقم القطعة:
- VB125ASP-E
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- IC COIL DRIVER PAR 10POWERSO
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 38342 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VB125ASP-E.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | Not Required |
| الجهد - تحميل: | 6 V ~ 24 V |
| تبديل نوع: | General Purpose |
| تجار الأجهزة حزمة: | 10-PowerSO |
| سلسلة: | VIPower™ |
| رديز أون (تيب): | - |
| نسبة - الإدخال: إخراج: | 1:1 |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| نوع المخرجات: | Bipolar |
| تكوين الناتج: | Low Side |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| عدد من المخرجات: | 1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | Parallel |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| الميزات: | Status Flag |
| حماية الأخطاء: | Over Temperature |
| الحالي - الناتج (ماكس): | 11.1A |
| رقم جزء القاعدة: | VB125A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVB125ASP-E
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي