V23100V6002A101 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل V23100V6002A101، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل V23100V6002A101 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء V23100V6002A101 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
V23100V6002A101
- رقم القطعة:
- V23100V6002A101
- وصف:
- RELAY REED SPST 750MA 12V
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35027 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- V23100V6002A101.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| بدوره على الجهد (ماكس): | - |
| إيقاف الجهد (الحد الأدنى): | - |
| إنهاء نمط: | PC Pin |
| تحويل الجهد: | 24VDC - Nom |
| سلسلة: | V23100-V6, AXICOM |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| اسماء اخرى: | 1393803-4 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| اتصل التصويت (الحالي): | 750mA |
| اتصل المواد: | Rhodium (Rh), Ruthenium (Ru) |
| نموذج الاتصال: | SPST-NO (1 Form A) |
| لفائف الجهد: | 12VDC |
| لفائف نوع: | Non Latching |
| لفائف المقاومة: | 1.1 kOhms |
| لفائف السلطة: | 131 mW |
| لفائف الحالي: | 10.9mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لV23100V6002A101
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار