UVZ2A100MED1TA متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل UVZ2A100MED1TA، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل UVZ2A100MED1TA عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء UVZ2A100MED1TA مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
UVZ2A100MED1TA
- رقم القطعة:
- UVZ2A100MED1TA
- الصانع:
- Nichicon
- وصف:
- CAP ALUM 10UF 20% 100V RADIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 28510 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.UVZ2A100MED1TA.pdf2.UVZ2A100MED1TA.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 100V |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.248" Dia (6.30mm) |
| سلسلة: | UVZ |
| تموج الحالي @ منخفض التردد: | 54mA @ 120Hz |
| تموج الحالي @ عالية التردد: | 108mA @ 10kHz |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Polar |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | Radial, Can |
| اسماء اخرى: | 493-17452-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 1000 Hrs @ 105°C |
| تباعد الرصاص: | 0.098" (2.50mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.492" (12.50mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | - |
| وصف تفصيلي: | 10µF 100V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C |
| مواسعة: | 10µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUVZ2A100MED1TA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
UVZ2A101MPD1TD | Nichicon | CAP ALUM 100UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
 |
UVZ2A220MED1TA | Nichicon | CAP ALUM 22UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UVZ1V682MRH | Nichicon | CAP ALUM 6800UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
 |
UVZ2A010MDH | Nichicon | CAP ALUM 1UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UVZ2A010MDD | Nichicon | CAP ALUM 1UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UVZ2A220MED | Nichicon | CAP ALUM 22UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UVZ2A0R1MDH | Nichicon | CAP ALUM 0.1UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UVZ2A010MDD1TA | Nichicon | CAP ALUM 1UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UVZ2A0R1MDD1TA | Nichicon | CAP ALUM 0.1UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UVZ2A0R1MDD1TD | Nichicon | CAP ALUM 0.1UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UVZ2A010MDD1TD | Nichicon | CAP ALUM 1UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UVZ2A100MED | Nichicon | CAP ALUM 10UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UVZ2A101MPD | Nichicon | CAP ALUM 100UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UVZ2A0R1MDD | Nichicon | CAP ALUM 0.1UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UVZ2A100MEH | Nichicon | CAP ALUM 10UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UVZ2A102MHH | Nichicon | CAP ALUM 1000UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UVZ2A102MHD | Nichicon | CAP ALUM 1000UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UVZ2A100MED1TD | Nichicon | CAP ALUM 10UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UVZ2A101MPH | Nichicon | CAP ALUM 100UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UVZ2A220MED1TD | Nichicon | CAP ALUM 22UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل