UU9LFBNP-B163 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل UU9LFBNP-B163، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل UU9LFBNP-B163 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء UU9LFBNP-B163 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
UU9LFBNP-B163
- رقم القطعة:
- UU9LFBNP-B163
- الصانع:
- Sumida Corporation
- وصف:
- CMC 33MH 160MA 2LN TH
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49350 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.UU9LFBNP-B163.pdf2.UU9LFBNP-B163.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - العاصمة: | - |
| تقييم الجهد - AC: | - |
| حجم / البعد: | 0.650" L x 0.433" W (16.50mm x 11.00mm) |
| سلسلة: | UU |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Vertical, 4 PC Pin |
| اسماء اخرى: | 308-1383 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| عدد من خطوط: | 2 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الحث @ تردد: | 33mH @ 1kHz |
| ارتفاع (ماكس): | 0.650" (16.50mm) |
| نوع فلتر: | Power Line |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | 33mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 160mA DCR 7 Ohm |
| دس المقاومة (دكر) (ماكس): | 7 Ohm |
| بطاقة سمك (مم): | 160mA |
| الموافقات: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUU9LFBNP-B163
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي