UU16LFBNP-303 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل UU16LFBNP-303، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل UU16LFBNP-303 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء UU16LFBNP-303 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
UU16LFBNP-303
- رقم القطعة:
- UU16LFBNP-303
- الصانع:
- Sumida Corporation
- وصف:
- CMC 30MH 350MA 2LN TH
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 37397 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- UU16LFBNP-303.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - العاصمة: | - |
| تقييم الجهد - AC: | - |
| حجم / البعد: | 0.866" L x 0.787" W (22.00mm x 20.00mm) |
| سلسلة: | UU |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Vertical, 4 PC Pin |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| عدد من خطوط: | 2 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الحث @ تردد: | 30mH @ 1kHz |
| ارتفاع (ماكس): | 1.122" (28.50mm) |
| نوع فلتر: | Power Line |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | 30mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 350mA DCR 2.5 Ohm |
| دس المقاومة (دكر) (ماكس): | 2.5 Ohm |
| بطاقة سمك (مم): | 350mA |
| الموافقات: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUU16LFBNP-303
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار