UPR10E3/TR13 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل UPR10E3/TR13، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل UPR10E3/TR13 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء UPR10E3/TR13 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
UPR10E3/TR13
- رقم القطعة:
- UPR10E3/TR13
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO216
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 37534 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- UPR10E3/TR13.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 975mV @ 2A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 100V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-216 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 25ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DO-216AA |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 100V 2.5A Surface Mount DO-216 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 2µA @ 100V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 2.5A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| رقم جزء القاعدة: | UPR10 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUPR10E3/TR13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
UPR15/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO216 | تحقيق |
|
UPR20/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE | تحقيق |
|
UPR40/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE | تحقيق |
|
UPR40/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE | تحقيق |
|
UPR30/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE | تحقيق |
|
UPR10/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO216 | تحقيق |
|
UPR20E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE | تحقيق |
|
UPR10/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO216 | تحقيق |
|
UPR15/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO216 | تحقيق |
|
UPR15E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO216 | تحقيق |
|
UPR5/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2.5A DO216 | تحقيق |
|
UPR30E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE | تحقيق |
|
UPR40E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE | تحقيق |
|
UPR30E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE | تحقيق |
|
UPR20E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE | تحقيق |
|
UPR15E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO216 | تحقيق |
|
UPR30/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE | تحقيق |
|
UPR20/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE | تحقيق |
|
UPR10E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO216 | تحقيق |
|
UPR40E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE | تحقيق |
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي