UP2C-101-R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل UP2C-101-R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل UP2C-101-R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء UP2C-101-R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
UP2C-101-R
- رقم القطعة:
- UP2C-101-R
- الصانع:
- Bussmann (Eaton)
- وصف:
- FIXED IND 100UH 1.26A 233.1 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 33907 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- UP2C-101-R.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.508" L x 0.370" W (12.90mm x 9.40mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | UNI-PAC™ 2C |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | 513-1763-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 100µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.205" (5.20mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 1.26A 233.1 mOhm Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 233.1 mOhm |
| التصويت الحالي: | 1.26A |
| الحالي - التشبع: | 1.24A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUP2C-101-R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
UP2C-1R5-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1.5UH 8.1A 5.6 MOHM | تحقيق |
|
UP2C-151-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 150UH 1.04A 351.4 MOHM | تحقيق |
 |
UP2B-680-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 68UH 1.5A 178.7 MOHM | تحقيق |
|
UP2C-330-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 33UH 2.16A 79.7 MOHM | تحقيق |
|
UP2C-1R0-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1UH 9.8A 3.9 MOHM SMD | تحقيق |
|
UP2C-331-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 330UH 670MA 824.3 MOHM | تحقيق |
|
UP2C-150-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 15UH 3.17A 36.9 MOHM | تحقيق |
|
UP2C-102-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1MH 380MA 2.657 OHM | تحقيق |
|
UP2C-221-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 220UH 820MA 545 MOHM | تحقيق |
|
UP2B-6R8-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 6.8UH 5A 20.2 MOHM SMD | تحقيق |
|
UP2B-470-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 47UH 1.7A 138.8 MOHM | تحقيق |
|
UP2C-2R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 2.2UH 7.5A 6.6 MOHM | تحقيق |
|
UP2C-220-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 22UH 2.61A 54 MOHM SMD | تحقيق |
|
UP2B-821-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 820UH 423MA 2.24 OHM | تحقيق |
|
UP2B-471-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 470UH 553MA 1.31 OHM | تحقيق |
|
UP2B-R47-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 470NH 10.6A 4.9 MOHM | تحقيق |
|
UP2B-4R7-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 4.7UH 5.5A 16.5 MOHM | تحقيق |
|
UP2C-100-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 10UH 3.61A 28.3 MOHM | تحقيق |
|
UP2B-681-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 680UH 452MA 1.97 OHM | تحقيق |
|
UP2B-820-R | Eaton | FIXED IND 82UH 1.34A 223.5 MOHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS