UMA1V3R3MDD1TE متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل UMA1V3R3MDD1TE، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل UMA1V3R3MDD1TE عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء UMA1V3R3MDD1TE مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
UMA1V3R3MDD1TE
- رقم القطعة:
- UMA1V3R3MDD1TE
- الصانع:
- Nichicon
- وصف:
- CAP ALUM 3.3UF 20% 35V RADIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 23525 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.UMA1V3R3MDD1TE.pdf2.UMA1V3R3MDD1TE.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 35V |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.157" Dia (4.00mm) |
| سلسلة: | UMA |
| تموج الحالي @ منخفض التردد: | 15mA @ 120Hz |
| تموج الحالي @ عالية التردد: | 22.5mA @ 10kHz |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Polar |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Box (TB) |
| حزمة / كيس: | Radial, Can |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 21 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 2000 Hrs @ 85°C |
| تباعد الرصاص: | 0.059" (1.50mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.236" (6.00mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | - |
| وصف تفصيلي: | 3.3µF 35V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C |
| مواسعة: | 3.3µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUMA1V3R3MDD1TE
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
UMA3NTR | LAPIS Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | تحقيق |
 |
UMA1V3R3MDD1TP | Nichicon | CAP ALUM 3.3UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UMA1V4R7MDD1TE | Nichicon | CAP ALUM 4.7UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UMA1V4R7MDD | Nichicon | CAP ALUM 4.7UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UMA1V4R7MDD1TP | Nichicon | CAP ALUM 4.7UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
 |
UMA1V470MDD1TE | Nichicon | CAP ALUM 47UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
 |
UMA1V100MDD1TP | Nichicon | CAP ALUM 10UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UMA1V470MDD | Nichicon | CAP ALUM 47UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
 |
UMA1V2R2MCD2 | Nichicon | CAP ALUM 2.2UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
 |
UMA1V220MDD1TE | Nichicon | CAP ALUM 22UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UMA1V220MDD | Nichicon | CAP ALUM 22UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UMA2NTR | LAPIS Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | تحقيق |
|
UMA1V2R2MCD2TP | Nichicon | CAP ALUM 2.2UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
 |
UMA4NT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SC70 | تحقيق |
|
UMA1V330MDD1TE | Nichicon | CAP ALUM 33UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UMA1V330MDD1TP | Nichicon | CAP ALUM 33UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UMA1V470MDD1TP | Nichicon | CAP ALUM 47UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UMA1V220MDD1TP | Nichicon | CAP ALUM 22UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UMA1V3R3MDD | Nichicon | CAP ALUM 3.3UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UMA1V330MDD | Nichicon | CAP ALUM 33UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة