UHD1V122MHD6TN متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل UHD1V122MHD6TN، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل UHD1V122MHD6TN عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء UHD1V122MHD6TN مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
UHD1V122MHD6TN
- رقم القطعة:
- UHD1V122MHD6TN
- الصانع:
- Nichicon
- وصف:
- CAP ALUM 1200UF 20% 35V RADIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26327 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.UHD1V122MHD6TN.pdf2.UHD1V122MHD6TN.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 35V |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.630" Dia (16.00mm) |
| سلسلة: | UHD |
| تموج الحالي @ منخفض التردد: | 2.512A @ 120Hz |
| تموج الحالي @ عالية التردد: | 3.14A @ 100kHz |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Polar |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Radial, Can |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 31 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 5000 Hrs @ 105°C |
| تباعد الرصاص: | 0.295" (7.50mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مقاومة: | 18 mOhms |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.866" (22.00mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | - |
| وصف تفصيلي: | 1200µF 35V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C |
| مواسعة: | 1200µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUHD1V122MHD6TN
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
UHD1V151MPD1TA | Nichicon | CAP ALUM 150UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
 |
UHD1H821MHD6TN | Nichicon | CAP ALUM 820UF 20% 50V RADIAL | تحقيق |
|
UHD1V152MHD | Nichicon | CAP ALUM 1500UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UHD1V151MPD | Nichicon | CAP ALUM 150UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UHD1V102MHD1TO | Nichicon | CAP ALUM 1000UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
 |
UHD1V221MPD | Nichicon | CAP ALUM 220UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UHD1V122MHD | Nichicon | CAP ALUM 1200UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
 |
UHD1V182MHD | Nichicon | CAP ALUM 1800UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
 |
UHD1V102MHD | Nichicon | CAP ALUM 1000UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UHD1V221MPD1TA | Nichicon | CAP ALUM 220UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UHD1V151MPD1TD | Nichicon | CAP ALUM 150UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UHD1V122MHD6 | Nichicon | CAP ALUM 1200UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UHD1V221MPD1TD | Nichicon | CAP ALUM 220UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UHD1H821MHD6 | Nichicon | CAP ALUM 820UF 20% 50V RADIAL | تحقيق |
|
UHD1H821MHD | Nichicon | CAP ALUM 820UF 20% 50V RADIAL | تحقيق |
|
UHD1H681MHD | Nichicon | CAP ALUM 680UF 20% 50V RADIAL | تحقيق |
|
UHD1H561MHD | Nichicon | CAP ALUM 560UF 20% 50V RADIAL | تحقيق |
|
UHD1H561MHD1TO | Nichicon | CAP ALUM 560UF 20% 50V RADIAL | تحقيق |
|
UHD1V182MHD1TN | Nichicon | CAP ALUM 1800UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
|
UHD1V221MPD6 | Nichicon | CAP ALUM 220UF 20% 35V RADIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM