UFW2A4R7MDD متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل UFW2A4R7MDD، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل UFW2A4R7MDD عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء UFW2A4R7MDD مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
UFW2A4R7MDD
- رقم القطعة:
- UFW2A4R7MDD
- الصانع:
- Nichicon
- وصف:
- CAP ALUM 4.7UF 20% 100V RADIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 44072 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.UFW2A4R7MDD.pdf2.UFW2A4R7MDD.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 100V |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.197" Dia (5.00mm) |
| سلسلة: | UFW |
| تموج الحالي @ منخفض التردد: | 45mA @ 120Hz |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Polar |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial, Can |
| اسماء اخرى: | 493-15170 UFW2A4R7MDD-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 2000 Hrs @ 85°C |
| تباعد الرصاص: | 0.079" (2.00mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.433" (11.00mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | - |
| وصف تفصيلي: | 4.7µF 100V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C |
| مواسعة: | 4.7µF |
| التطبيقات: | Audio |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUFW2A4R7MDD
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
UFW2A3R3MDD1TA | Nichicon | CAP ALUM 3.3UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UFW2AR33MDD1TA | Nichicon | CAP ALUM 0.33UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UFW2AR22MDD1TA | Nichicon | CAP ALUM 0.22UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
 |
UFW2A470MPD1TD | Nichicon | CAP ALUM 47UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UFW2A3R3MDD1TD | Nichicon | CAP ALUM 3.3UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UFW2AR47MDD1TA | Nichicon | CAP ALUM 0.47UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
 |
UFW2AR22MDD | Nichicon | CAP ALUM 0.22UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UFW2A470MPD | Nichicon | CAP ALUM 47UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
 |
UFW2A331MHD | Nichicon | CAP ALUM 330UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
 |
UFW2A332MRD | Nichicon | CAP ALUM 3300UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UFW2A3R3MDD | Nichicon | CAP ALUM 3.3UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UFW2A4R7MDD1TA | Nichicon | CAP ALUM 4.7UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
 |
UFW2A471MHD | Nichicon | CAP ALUM 470UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UFW2AR47MDD | Nichicon | CAP ALUM 0.47UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UFW2A331MHD1TO | Nichicon | CAP ALUM 330UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UFW2AR33MDD1TD | Nichicon | CAP ALUM 0.33UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UFW2AR22MDD1TD | Nichicon | CAP ALUM 0.22UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UFW2A471MHD1TN | Nichicon | CAP ALUM 470UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UFW2AR33MDD | Nichicon | CAP ALUM 0.33UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
|
UFW2A4R7MDD1TD | Nichicon | CAP ALUM 4.7UF 20% 100V RADIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل