UFT10060 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل UFT10060، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل UFT10060 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء UFT10060 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
UFT10060
- رقم القطعة:
- UFT10060
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 50A TO249AB
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55441 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- UFT10060.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.7V @ 50A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-249AB |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 90ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-249AB |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| تكوين الصمام الثنائي: | 1 Pair Common Cathode |
| وصف تفصيلي: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 50A Chassis Mount TO-249AB |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 25µA @ 600V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 50A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUFT10060
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
UFT14010 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 70A TO249AB | تحقيق |
|
UFT10020 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 50A TO249AB | تحقيق |
|
UFT14040 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 70A TO249AB | تحقيق |
 |
UFT12520A | Microsemi | DIODE MODULE 200V 60A | تحقيق |
|
UFT14005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 70A TO249AB | تحقيق |
|
UFT12520D | Microsemi | DIODE MODULE 200V 60A | تحقيق |
|
UFT14020 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 70A TO249AB | تحقيق |
|
UFT14060 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 70A TO249AB | تحقيق |
|
UFT12780 | Microsemi | DIODE MODULE 800V 60A | تحقيق |
 |
UFT14020A | Microsemi | DIODE MODULE 200V 70A | تحقيق |
|
UFT14140A | Microsemi | DIODE MODULE 400V 70A TO249 | تحقيق |
|
UFT10005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 50A TO249AB | تحقيق |
|
UFT12780A | Microsemi | DIODE MODULE 800V 60A | تحقيق |
 |
UFT14020 | Microsemi | DIODE MODULE 200V 70A | تحقيق |
|
UFT14020D | Microsemi | DIODE MODULE 200V 70A | تحقيق |
 |
UFT14140 | Microsemi | DIODE MODULE 400V 70A TO249 | تحقيق |
|
UFT10010 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 50A TO249AB | تحقيق |
|
UFT10040 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 50A TO249AB | تحقيق |
|
UFT12780D | Microsemi | DIODE MODULE 800V 60A | تحقيق |
 |
UFT12520 | Microsemi | DIODE MODULE 200V 60A | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل