UFS550JE3/TR13 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل UFS550JE3/TR13، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل UFS550JE3/TR13 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء UFS550JE3/TR13 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
UFS550JE3/TR13
- رقم القطعة:
- UFS550JE3/TR13
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 500V 5A DO214AB
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 44006 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- UFS550JE3/TR13.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.2V @ 5A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 500V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-214AB |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 50ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DO-214AB, SMC |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 500V 5A Surface Mount DO-214AB |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 500V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 5A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| رقم جزء القاعدة: | UFS550 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUFS550JE3/TR13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
UFS580GE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 5A DO215AB | تحقيق |
 |
UFS530J/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 5A DO214AB | تحقيق |
|
UFS550GE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 5A DO215AB | تحقيق |
|
UFS570GE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 700V 5A DO215AB | تحقيق |
|
UFS570J/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 700V 5A DO214AB | تحقيق |
|
UFS570G/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 700V 5A DO215AB | تحقيق |
|
UFS550J/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 5A DO214AB | تحقيق |
|
UFS580G/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 5A DO215AB | تحقيق |
|
UFS570JE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 700V 5A DO214AB | تحقيق |
|
UFS560G/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 5A DO215AB | تحقيق |
|
UFS560J/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB | تحقيق |
|
UFS540GE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 5A DO215AB | تحقيق |
|
UFS550G/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 5A DO215AB | تحقيق |
|
UFS530GE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 300V 5A DO215AB | تحقيق |
|
UFS540J/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB | تحقيق |
|
UFS530JE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 300V 5A DO214AB | تحقيق |
|
UFS560GE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 5A DO215AB | تحقيق |
|
UFS540G/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 5A DO215AB | تحقيق |
|
UFS540JE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB | تحقيق |
|
UFS560JE3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة