UCC5310MCDR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل UCC5310MCDR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل UCC5310MCDR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء UCC5310MCDR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
UCC5310MCDR
- رقم القطعة:
- UCC5310MCDR
- الصانع:
- TI
- وصف:
- DGTL ISO 3KV 1CH GATE DRVR 8SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49375 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- UCC5310MCDR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 13.2 V ~ 33 V |
| الجهد - العزلة: | 3000Vrms |
| فولتاج - فوروارد (ف) (تيب): | - |
| تكنولوجيا: | Capacitive Coupling |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 12ns, 10ns |
| نبض العرض تشويه (ماكس): | 20ns |
| الانتشار تأخير تبله / تفل (ماكس): | 75ns, 75ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | 296-48225-2 UCC5310MCDR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد القنوات: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 2 (1 Year) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | 4.3A Gate Driver Capacitive Coupling 3000Vrms 1 Channel 8-SOIC |
| الحالي - الناتج الذروة: | 4.3A |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 2.4A, 1.1A |
| الوضع المشترك مناعة عابرة (دقيقة): | 100kV/µs |
| الموافقات: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUCC5310MCDR
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات