TXB0108RGYRG4 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TXB0108RGYRG4، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TXB0108RGYRG4 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TXB0108RGYRG4 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TXB0108RGYRG4
- رقم القطعة:
- TXB0108RGYRG4
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 20VQFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 37334 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TXB0108RGYRG4.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - فكب: | 1.65V ~ 5.5V |
| الجهد - فكا: | 1.2V ~ 3.6V |
| نوع المترجم: | Voltage Level |
| تجار الأجهزة حزمة: | 20-VQFN (3.5x4.5) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 20-VFQFN Exposed Pad |
| نوع المخرجات: | Tri-State, Non-Inverted |
| إشارة الخرج: | - |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| عدد الدوائر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 2 (1 Year) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| اشارة ادخال: | - |
| الميزات: | Auto-Direction Sensing |
| وصف تفصيلي: | Voltage Level Translator Bidirectional 1 Circuit 8 Channel 100Mbps 20-VQFN (3.5x4.5) |
| معدل البيانات: | 100Mbps |
| القنوات لكل دائرة: | 8 |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Bidirectional |
| رقم جزء القاعدة: | TXB0108 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTXB0108RGYRG4
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار