TWAE477K075CBSZ0000 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TWAE477K075CBSZ0000، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TWAE477K075CBSZ0000 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TWAE477K075CBSZ0000 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TWAE477K075CBSZ0000
- رقم القطعة:
- TWAE477K075CBSZ0000
- الصانع:
- AVX Corporation
- وصف:
- CAP TANT 470UF 10% 75V AXIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 49500 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TWAE477K075CBSZ0000.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 75V |
| اكتب: | Hermetically Sealed |
| تسامح: | ±10% |
| حجم / البعد: | 0.375" Dia x 1.062" L (9.52mm x 26.97mm) |
| سلسلة: | TWA |
| تصنيفات: | COTS |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | Axial |
| اسماء اخرى: | 478-4970 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| مصنع رمز حجم: | E |
| عمر @ درجة الحرارة.: | - |
| تباعد الرصاص: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| الميزات: | High Reliability, Wet Tantalum |
| معدل الفشل: | - |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 900 mOhm |
| وصف تفصيلي: | 470µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 75V Axial 900 mOhm |
| مواسعة: | 470µF |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTWAE477K075CBSZ0000
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC