TUSB1046A-DCIRNQR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TUSB1046A-DCIRNQR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TUSB1046A-DCIRNQR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TUSB1046A-DCIRNQR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TUSB1046A-DCIRNQR
- رقم القطعة:
- TUSB1046A-DCIRNQR
- الصانع:
- TI
- وصف:
- TUSB1046A-DCIRNQR
- كمية المخزون:
- 41358 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TUSB1046A-DCIRNQR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| فولتاج - سوبلي، سينغل (V +): | 3 V ~ 3.6 V |
| الجهد - العرض، المزدوج (V ±): | - |
| تبديل الدائرة: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | 40-WQFN (6x4) |
| سلسلة: | - |
| حزمة / كيس: | 40-WFQFN Exposed Pad |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C |
| مقاومة الدولة (ماكس): | 10 Ohm |
| عدد القنوات: | 4 |
| مضاعف / ديمولتيبليكسر الدائرة: | - |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| وصف تفصيلي: | USB Switch IC 4 Channel 40-WQFN (6x4) |
| التطبيقات: | USB |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTUSB1046A-DCIRNQR
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار