TS5A1066DBVR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TS5A1066DBVR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TS5A1066DBVR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TS5A1066DBVR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TS5A1066DBVR
- رقم القطعة:
- TS5A1066DBVR
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC SWITCH SPST SOT23-5
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29864 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TS5A1066DBVR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| فولتاج - سوبلي، سينغل (V +): | 1.65 V ~ 5.5 V |
| الجهد - العرض، المزدوج (V ±): | - |
| وقت التبديل (طن، توف) (ماكس): | 5.5ns, 4.5ns |
| تبديل الدائرة: | SPST - NO |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-5 |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-74A, SOT-753 |
| اسماء اخرى: | 296-17585-2 TS5A1066DBVRE4 TS5A1066DBVRE4-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| مقاومة الدولة (ماكس): | 10 Ohm |
| عدد الدوائر: | 1 |
| مضاعف / ديمولتيبليكسر الدائرة: | 1:1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | 1 Circuit IC Switch 1:1 10 Ohm SOT-23-5 |
| الحالي - التسرب (إس (إيقاف)) (ماكس): | 200nA |
| الحديث المتبادل: | - |
| شحن الحقن: | 1pC |
| مطابقة القناة إلى القناة (ΔRon): | - |
| قناة السعة (كس (إيقاف)، سد (إيقاف)): | 6.8pF, 6.8pF |
| رقم جزء القاعدة: | TS5A1066 |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | 400MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTS5A1066DBVR
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC