TS3A5018DGVR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TS3A5018DGVR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TS3A5018DGVR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TS3A5018DGVR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TS3A5018DGVR
- رقم القطعة:
- TS3A5018DGVR
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC SWITCH QUAD SPDT 16TVSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 20037 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TS3A5018DGVR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| فولتاج - سوبلي، سينغل (V +): | 1.65 V ~ 3.6 V |
| الجهد - العرض، المزدوج (V ±): | - |
| وقت التبديل (طن، توف) (ماكس): | 8ns, 6.5ns |
| تبديل الدائرة: | SPDT |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-TVSOP |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 16-TFSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| اسماء اخرى: | 296-17610-2 TS3A5018DGVRE4 TS3A5018DGVRE4-ND TS3A5018DGVRG4 TS3A5018DGVRG4-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| مقاومة الدولة (ماكس): | 10 Ohm |
| عدد الدوائر: | 4 |
| مضاعف / ديمولتيبليكسر الدائرة: | 2:1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | 4 Circuit IC Switch 2:1 10 Ohm 16-TVSOP |
| الحالي - التسرب (إس (إيقاف)) (ماكس): | 100nA |
| الحديث المتبادل: | -48dB @ 10MHz |
| شحن الحقن: | 2pC |
| مطابقة القناة إلى القناة (ΔRon): | 300 mOhm |
| قناة السعة (كس (إيقاف)، سد (إيقاف)): | 4.5pF, 9pF |
| رقم جزء القاعدة: | TS3A5018 |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | 300MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTS3A5018DGVR
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي