TND524VS-TL-H متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TND524VS-TL-H، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TND524VS-TL-H عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TND524VS-TL-H مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TND524VS-TL-H
- رقم القطعة:
- TND524VS-TL-H
- وصف:
- IC DVR EXPD 600V 0.17A VEC8
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 21027 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TND524VS-TL-H.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 10 V ~ 20 V |
| الجهد - تحميل: | 600V (Max) |
| تكنولوجيا: | Power MOSFET |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-VEC |
| سلسلة: | - |
| رديز أون (تيب): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SMD, Flat Lead |
| تكوين الناتج: | Half Bridge |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع التحميل: | Inductive |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | On/Off |
| الميزات: | - |
| حماية الأخطاء: | - |
| وصف تفصيلي: | Half Bridge Driver General Purpose Power MOSFET 8-VEC |
| الحالي - الناتج الذروة: | 200mA, 400mA |
| الحالي - إخراج / قناة: | - |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTND524VS-TL-H
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار