TN8D51A-HB11-E متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TN8D51A-HB11-E، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TN8D51A-HB11-E عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TN8D51A-HB11-E مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TN8D51A-HB11-E
- رقم القطعة:
- TN8D51A-HB11-E
- وصف:
- IC REG BUCK 12V 8A TO-220FL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 24410 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TN8D51A-HB11-E.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - الإخراج (دقيقة / ثابتة): | 12V |
| الجهد - الإخراج (ماكس): | - |
| الجهد - الإدخال (مين): | 20V |
| الجهد - الإدخال (ماكس): | 48V |
| البنية: | Buck |
| متزامن المعدل: | No |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220F5I5H-HB |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-220-5 Full Pack (Formed Leads) |
| نوع المخرجات: | Fixed |
| تكوين الناتج: | Positive |
| درجة حرارة التشغيل: | -10°C ~ 85°C (TA) |
| عدد من المخرجات: | 1 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وظيفة: | Step-Down |
| تردد - التبديل: | 150kHz |
| وصف تفصيلي: | Buck Switching Regulator IC Positive Fixed 12V 1 Output 8A TO-220-5 Full Pack (Formed Leads) |
| الحالي - الناتج: | 8A |
| رقم جزء القاعدة: | TN8D51A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTN8D51A-HB11-E
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي