TMS5703137CGWTQEP متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TMS5703137CGWTQEP، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TMS5703137CGWTQEP عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TMS5703137CGWTQEP مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TMS5703137CGWTQEP
- رقم القطعة:
- TMS5703137CGWTQEP
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC MCU 32BIT 3MB FLASH 337NFBGA
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 54201 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TMS5703137CGWTQEP.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 1.14 V ~ 1.32 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 337-NFBGA (16x16) |
| سرعة: | 180MHz |
| سلسلة: | Hercules™ TMS570 ARM® Cortex®-R |
| ذاكرة الوصول العشوائي الحجم: | 256K x 8 |
| نوع الذاكرة برنامج: | FLASH |
| برنامج حجم الذاكرة: | 3MB (3M x 8) |
| الأجهزة الطرفية: | DMA, POR, PWM, WDT |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 337-LFBGA |
| اسماء اخرى: | 296-37137-5 TMS5703137CGWTQEP-ND |
| نوع مذبذب: | External |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 120 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| EEPROM الحجم: | - |
| وصف تفصيلي: | ARM® Cortex®-R4F Hercules™ TMS570 ARM® Cortex®-R Microcontroller IC 16/32-Bit 180MHz 3MB (3M x 8) FLASH 337-NFBGA (16x16) |
| محولات البيانات: | A/D 16x12b, 24x12b |
| الحجم الأساسية: | 16/32-Bit |
| النواة: | ARM® Cortex®-R4F |
| الاتصال: | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, FlexRay, I²C, LINbus, MibSPI, SCI, SPI, UART/USART |
| رقم جزء القاعدة: | TMS5703137 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTMS5703137CGWTQEP
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC