TMS5702125BPGEQQ1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TMS5702125BPGEQQ1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TMS5702125BPGEQQ1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TMS5702125BPGEQQ1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TMS5702125BPGEQQ1
- رقم القطعة:
- TMS5702125BPGEQQ1
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC MCU 32BIT 2MB FLASH 144LQFP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 54190 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TMS5702125BPGEQQ1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 1.14 V ~ 3.6 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 144-LQFP (20x20) |
| سرعة: | 160MHz |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100, Hercules™ TMS570 ARM® Cortex®-R |
| ذاكرة الوصول العشوائي الحجم: | 192K x 8 |
| نوع الذاكرة برنامج: | FLASH |
| برنامج حجم الذاكرة: | 2MB (2M x 8) |
| الأجهزة الطرفية: | DMA, POR, PWM, WDT |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 144-LQFP |
| نوع مذبذب: | External |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 58 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM الحجم: | 64K x 8 |
| وصف تفصيلي: | ARM® Cortex®-R4F Automotive, AEC-Q100, Hercules™ TMS570 ARM® Cortex®-R Microcontroller IC 16/32-Bit 160MHz 2MB (2M x 8) FLASH 144-LQFP (20x20) |
| محولات البيانات: | A/D 24x12b |
| الحجم الأساسية: | 16/32-Bit |
| النواة: | ARM® Cortex®-R4F |
| الاتصال: | CANbus, EBI/EMI, FlexRay, I²C, LINbus, MibSPI, SCI, SPI, UART/USART |
| رقم جزء القاعدة: | TMS5702125 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTMS5702125BPGEQQ1
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات