TLV73325PDQNT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TLV73325PDQNT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TLV73325PDQNT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TLV73325PDQNT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TLV73325PDQNT
- رقم القطعة:
- TLV73325PDQNT
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC REG LINEAR 2.5V 300MA 4X2SON
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 51409 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TLV73325PDQNT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسرب الجهد (ماكس): | 0.29V @ 300mA |
| الجهد - الإخراج (دقيقة / ثابتة): | 2.5V |
| الجهد - الإخراج (ماكس): | - |
| الجهد - الإدخال (ماكس): | 5.5V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-X2SON (1x1) |
| سلسلة: | - |
| ميزات الحماية: | Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Under Voltage Lockout (UVLO) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 4-XDFN Exposed Pad |
| PSRR: | 68dB ~ 28dB (100Hz ~ 100kHz) |
| نوع المخرجات: | Fixed |
| تكوين الناتج: | Positive |
| اسماء اخرى: | 296-38493-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| عدد من المنظمين: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 2.5V 300mA 4-X2SON (1x1) |
| الحالية - هادئة (Iq): | 60µA |
| الحالي - الناتج: | 300mA |
| ميزات التحكم: | Enable |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTLV73325PDQNT
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة