TLV313QDCKTQ1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TLV313QDCKTQ1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TLV313QDCKTQ1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TLV313QDCKTQ1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TLV313QDCKTQ1
- رقم القطعة:
- TLV313QDCKTQ1
- الصانع:
- TI
- وصف:
- TLV313QDCKTQ1
- كمية المخزون:
- 52148 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TLV313QDCKTQ1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العرض، واحد / المزدوج (±): | 1.8 V ~ 5.5 V, ±0.9 V ~ 2.75 V |
| الجهد - الإدخال أوفست: | 750µV |
| معدل الانحراف: | 0.5 V/µs |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100 |
| نوع المخرجات: | Rail-to-Rail |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد الدوائر: | 1 |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| مكاسب عرض النطاق الترددي المنتج: | 1MHz |
| وصف تفصيلي: | General Purpose Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail |
| الحالي - توريد: | 65µA |
| الحالي - التحيز الإدخال: | 1pA |
| نوع مكبر للصوت: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTLV313QDCKTQ1
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل