TLV2721IDBVT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TLV2721IDBVT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TLV2721IDBVT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TLV2721IDBVT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TLV2721IDBVT
- رقم القطعة:
- TLV2721IDBVT
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC OPAMP GP 510KHZ RRO SOT23-5
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55939 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TLV2721IDBVT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العرض، واحد / المزدوج (±): | 2.7 V ~ 10 V, ±1.35 V ~ 5 V |
| الجهد - الإدخال أوفست: | 500µV |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-5 |
| معدل الانحراف: | 0.25 V/µs |
| سلسلة: | LinCMOS™ |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-74A, SOT-753 |
| نوع المخرجات: | Rail-to-Rail |
| اسماء اخرى: | TLV2721IDBVTG4 TLV2721IDBVTG4-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد الدوائر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مكاسب عرض النطاق الترددي المنتج: | 510kHz |
| وصف تفصيلي: | General Purpose Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail SOT-23-5 |
| الحالي - توريد: | 110µA |
| الحالي - إخراج / قناة: | 50mA |
| الحالي - التحيز الإدخال: | 1pA |
| رقم جزء القاعدة: | TLV2721 |
| نوع مكبر للصوت: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTLV2721IDBVT
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC