TLP2310(TPL,E متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TLP2310(TPL,E، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TLP2310(TPL,E عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TLP2310(TPL,E مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TLP2310(TPL,E
- رقم القطعة:
- TLP2310(TPL,E
- وصف:
- HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45084 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TLP2310(TPL,E.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| الجهد - العزلة: | 3750Vrms |
| فولتاج - فوروارد (ف) (تيب): | 1.53V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-SO, 5 Lead |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 11ns, 13ns |
| الانتشار تأخير تبله / تفل (ماكس): | 250ns, 250ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads |
| نوع المخرجات: | Push-Pull, Totem Pole |
| اسماء اخرى: | TLP2310(TPLE |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد القنوات: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| المدخلات - الجانب 1 / الجانب 2: | 1/0 |
| نوع المدخلات: | DC |
| وصف تفصيلي: | Logic Output Optoisolator 5Mbps Push-Pull, Totem Pole 3750Vrms 1 Channel 25kV/µs CMTI 6-SO, 5 Lead |
| معدل البيانات: | 5Mbps |
| الحالي - إخراج / قناة: | 10mA |
| الحالي - دس إلى الأمام (إذا) (ماكس): | 8mA |
| الوضع المشترك مناعة عابرة (دقيقة): | 25kV/µs |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTLP2310(TPL,E
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة