TLP168J(TPR,U,C,F) متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TLP168J(TPR,U,C,F)، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TLP168J(TPR,U,C,F) عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TLP168J(TPR,U,C,F) مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TLP168J(TPR,U,C,F)
- رقم القطعة:
- TLP168J(TPR,U,C,F)
- وصف:
- OPTOISOLATOR 2.5KV TRIAC 6MFSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 28579 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TLP168J(TPR,U,C,F).pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| قطر رمح (مم): | Yes |
| الجهد - الدولة معطلة: | 600V |
| الجهد - العزلة: | 2500Vrms |
| فولتاج - فوروارد (ف) (تيب): | 1.4V |
| بدوره على الوقت: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-MFSOP, 4 Lead |
| ثابت دف / دت (دقيقة): | 200V/µs |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads |
| نوع المخرجات: | Triac |
| اسماء اخرى: | TLP168J (TPR,U,C,F) TLP168J(TPR,U,C,F)) TLP168JFTR TLP168JTPRUCF |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 100°C |
| عدد القنوات: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | Optoisolator Triac Output 2500Vrms 1 Channel 6-MFSOP, 4 Lead |
| التيار - في دولة (و(RMS)) (ماكس): | 70mA |
| الحالي - ليد الزناد (إفت) (ماكس): | 3mA |
| الحالي - عقد (ايه): | 600µA (Typ) |
| الحالي - دس إلى الأمام (إذا) (ماكس): | 20mA |
| الموافقات: | UR |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTLP168J(TPR,U,C,F)
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة