TLM2HER016FTE متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TLM2HER016FTE، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TLM2HER016FTE عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TLM2HER016FTE مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TLM2HER016FTE
- رقم القطعة:
- TLM2HER016FTE
- وصف:
- RES 0.016 OHM 1% 3/4W 2010
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 42672 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TLM2HER016FTE.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±1% |
| معامل درجة الحرارة: | ±100ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | 2010 |
| حجم / البعد: | 0.197" L x 0.098" W (5.00mm x 2.50mm) |
| سلسلة: | TLM, CGS |
| وضع لوحة: | 16 mOhms |
| السلطة (واتس): | 0.75W, 3/4W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 2010 (5025 Metric) |
| اسماء اخرى: | 1-2176157-9 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 155°C |
| عدد الإنهاء: | 2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.029" (0.73mm) |
| الميزات: | Current Sense |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 16 mOhms ±1% 0.75W, 3/4W Chip Resistor 2010 (5025 Metric) Current Sense Metal Foil |
| تركيب: | Metal Foil |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTLM2HER016FTE
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي