TLE7469GV53AUMA1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TLE7469GV53AUMA1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TLE7469GV53AUMA1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TLE7469GV53AUMA1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TLE7469GV53AUMA1
- رقم القطعة:
- TLE7469GV53AUMA1
- وصف:
- IC REG LINEAR 3.3V/5V DSO-12
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 47459 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TLE7469GV53AUMA1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسرب الجهد (ماكس): | -, 0.6V @ 215mA |
| الجهد - الإخراج (دقيقة / ثابتة): | 3.3V, 5V |
| الجهد - الإخراج (ماكس): | - |
| الجهد - الإدخال (ماكس): | 45V |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-DSO-12 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100 |
| ميزات الحماية: | Over Current, Over Temperature, Short Circuit |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 12-BSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad |
| PSRR: | 60dB (100Hz), 60dB (100Hz) |
| نوع المخرجات: | Fixed |
| تكوين الناتج: | Positive |
| اسماء اخرى: | SP000017740 SP000316704 TLE7469G V53 TLE7469G V53-ND TLE7469G V53TR TLE7469G V53TR-ND TLE7469GV53AUMA1TR TLE7469GV53NT TLE7469GV53T TLE7469GV53XT |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C |
| عدد من المنظمين: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 2 Output 5V, 3.3V 200mA, 215mA PG-DSO-12 |
| الحالية - هادئة (Iq): | 55µA |
| الحالي - الناتج: | 200mA, 215mA |
| ميزات التحكم: | Inhibit, Reset, Watchdog |
| رقم جزء القاعدة: | TLE7469 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTLE7469GV53AUMA1
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة