TLC393QDRQ1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TLC393QDRQ1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TLC393QDRQ1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TLC393QDRQ1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TLC393QDRQ1
- رقم القطعة:
- TLC393QDRQ1
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC VOLT COMP DUAL LINCMOS 8-SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 38336 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TLC393QDRQ1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العرض، واحد / المزدوج (±): | 4 V ~ 16 V |
| الجهد - الإدخال أوفست (ماكس): | 5mV @ 10V |
| اكتب: | General Purpose |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100, LinCMOS™ |
| تأخير نشر (ماكس): | 4.5µs |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| نوع المخرجات: | MOS, Open-Drain |
| اسماء اخرى: | 296-17501-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من عناصر: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| التخلفية نزعة المادة الممغنطة إلي البقاء في حالة مغناطيسية: | - |
| وصف تفصيلي: | Comparator General Purpose MOS, Open-Drain 8-SOIC |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 90µA |
| الحالي - الإخراج (الطباع): | 20mA |
| الحالي - الإدخال التحيز (ماكس): | 5pA @ 5V |
| CMRR، PSRR (الطباع): | 84dB CMRR |
| رقم جزء القاعدة: | TLC393 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTLC393QDRQ1
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات