TL331QDBVRQ1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TL331QDBVRQ1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TL331QDBVRQ1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TL331QDBVRQ1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TL331QDBVRQ1
- رقم القطعة:
- TL331QDBVRQ1
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC COMPARATOR DIFF SGL SOT23-5
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 22076 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TL331QDBVRQ1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العرض، واحد / المزدوج (±): | 2 V ~ 36 V, ±1 V ~ 18 V |
| الجهد - الإدخال أوفست (ماكس): | 5mV @ 5V |
| اكتب: | Differential |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-5 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100 |
| تأخير نشر (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-74A, SOT-753 |
| نوع المخرجات: | CMOS, MOS, Open-Collector, TTL |
| اسماء اخرى: | 296-37702-2 TL331QDBVRQ1-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من عناصر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| التخلفية نزعة المادة الممغنطة إلي البقاء في حالة مغناطيسية: | - |
| وصف تفصيلي: | Comparator Differential CMOS, MOS, Open-Collector, TTL SOT-23-5 |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 700µA |
| الحالي - الإخراج (الطباع): | - |
| الحالي - الإدخال التحيز (ماكس): | 250nA @ 5V |
| CMRR، PSRR (الطباع): | - |
| رقم جزء القاعدة: | TL331 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTL331QDBVRQ1
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU