TL331KDBVT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TL331KDBVT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TL331KDBVT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TL331KDBVT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TL331KDBVT
- رقم القطعة:
- TL331KDBVT
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC DIFF COMPARATOR SNGL SOT23-5
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45564 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TL331KDBVT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - في الدولة: | 1 |
| الجهد - انهيار: | SOT-23-5 |
| اكتب: | Differential |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| تأخير نشر (ماكس): | - |
| الاستقطاب: | SC-74A, SOT-753 |
| نوع المخرجات: | CMOS, MOS, Open-Collector, TTL |
| اسماء اخرى: | 296-32344-2 TL331KDBVT-ND TL331KDBVTG4 TL331KDBVTG4-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | TL331KDBVT |
| نوع المنطق: | - |
| التخلفية نزعة المادة الممغنطة إلي البقاء في حالة مغناطيسية: | - |
| وصف موسع: | Comparator Differential CMOS, MOS, Open-Collector, TTL SOT-23-5 |
| وصف: | IC DIFF COMPARATOR SNGL SOT23-5 |
| الحالي - توريد (IC الرئيسية): | 2 V ~ 36 V, ±1 V ~ 18 V |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 20mA |
| الحالي - الإخراج (الطباع): | 0.25µA @ 5V |
| الحالي - الإدخال التحيز (ماكس): | 5mV @ 30V |
| CMRR، PSRR (الطباع): | 700µA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTL331KDBVT
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار