TK50E08K3,S1X(S متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TK50E08K3,S1X(S، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TK50E08K3,S1X(S عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TK50E08K3,S1X(S مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TK50E08K3,S1X(S
- رقم القطعة:
- TK50E08K3,S1X(S
- وصف:
- MOSFET N-CH 75V 50A TO-220AB
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 20616 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TK50E08K3,S1X(S.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12 mOhm @ 25A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | TK50E08K3S1X(S TK50E08K3S1XS |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 55nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 75V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 75V 50A (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTK50E08K3,S1X(S
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU