THS15R05J متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل THS15R05J، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل THS15R05J عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء THS15R05J مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
THS15R05J
- رقم القطعة:
- THS15R05J
- وصف:
- RES CHAS MNT 0.05 OHM 5% 15W
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36933 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.THS15R05J.pdf2.THS15R05J.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±5% |
| معامل درجة الحرارة: | ±50ppm/°C |
| حجم / البعد: | 0.827" L x 0.827" W (21.00mm x 21.00mm) |
| سلسلة: | THS, CGS |
| وضع لوحة: | 50 mOhms |
| السلطة (واتس): | 15W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | Axial, Box |
| اسماء اخرى: | 1879074-1 1879074-1-ND A131974 THS15R05J-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 200°C |
| تصاعد ميزة: | Flanges |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| قيادي نمط: | Solder Lugs |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.433" (11.00mm) |
| الميزات: | - |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 50 mOhms ±5% 15W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| تركيب: | Wirewound |
| طلاء، نوع السكن: | Aluminum |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTHS15R05J
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي