TH58BYG2S3HBAI4
رقم القطعة:
TH58BYG2S3HBAI4
الصانع:
Toshiba Memory America, Inc.
وصف:
4G SLC NAND BGA 24NM
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
48889 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
TH58BYG2S3HBAI4.pdf

المقدمة

TH58BYG2S3HBAI4 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TH58BYG2S3HBAI4، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TH58BYG2S3HBAI4 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TH58BYG2S3HBAI4 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:-
الجهد - توريد:-
تكنولوجيا:FLASH - NAND (SLC)
تجار الأجهزة حزمة:63-TFBGA (9x11)
سلسلة:Benand™
حزمة / كيس:63-VFBGA
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 85°C
تصاعد نوع:Surface Mount
نوع الذاكرة:Non-Volatile
حجم الذاكرة:4Gb (512M x 8)
واجهة الذاكرة:-
تنسيق الذاكرة:FLASH
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

Latest الأخبار