TH3C335K035D1700 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TH3C335K035D1700، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TH3C335K035D1700 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TH3C335K035D1700 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TH3C335K035D1700
- رقم القطعة:
- TH3C335K035D1700
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- CAP TANT 3.3UF 35V 10% 2312
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 52250 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TH3C335K035D1700.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 35V |
| اكتب: | Molded |
| تسامح: | ±10% |
| حجم / البعد: | 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) |
| سلسلة: | TANTAMOUNT®, TH3 |
| تصنيفات: | AEC-Q200 |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 2312 (6032 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 28 Weeks |
| مصنع رمز حجم: | C |
| عمر @ درجة الحرارة.: | - |
| تباعد الرصاص: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.110" (2.80mm) |
| الميزات: | General Purpose |
| معدل الفشل: | - |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 1.7 Ohm |
| وصف تفصيلي: | 3.3µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2312 (6032 Metric) 1.7 Ohm |
| مواسعة: | 3.3µF |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTH3C335K035D1700
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار