TGHGCR0200DE متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TGHGCR0200DE، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TGHGCR0200DE عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TGHGCR0200DE مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TGHGCR0200DE
- رقم القطعة:
- TGHGCR0200DE
- الصانع:
- Ohmite
- وصف:
- 100W SOT227 0.0200 OHM 0.5%
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 34180 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TGHGCR0200DE.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±0.5% |
| معامل درجة الحرارة: | ±60ppm/°C |
| حجم / البعد: | 1.500" L x 0.980" W (38.10mm x 24.90mm) |
| سلسلة: | TGHG |
| وضع لوحة: | 20 mOhms |
| السلطة (واتس): | 100W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 155°C |
| تصاعد ميزة: | Flanges |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| قيادي نمط: | M4 Threaded |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.480" (12.20mm) |
| الميزات: | Current Sense, Non-Inductive |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 20 mOhms ±0.5% 100W Thick Film Chassis Mount Resistor |
| تركيب: | Thick Film |
| طلاء، نوع السكن: | Epoxy Coated |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTGHGCR0200DE
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
TGHGCR1000FE | Ohmite | RES CHAS MNT 0.1 OHM 1% 100W | تحقيق |
|
TGHGCR0100FE | Ohmite | RES CHAS MNT 0.01 OHM 1% 100W | تحقيق |
|
TGHGCR0020DE | Ohmite | 100W SOT227 0.0020 OHM 0.5% | تحقيق |
|
TGHGCR0010FE | Ohmite | RES CHAS MNT 0.001 OHM 1% 100W | تحقيق |
|
TGHGCR0150FE | Ohmite | RES CHAS MNT 0.015 OHM 1% 100W | تحقيق |
|
TGHGCR0500FE | Ohmite | RES CHAS MNT 0.05 OHM 1% 100W | تحقيق |
 |
TGHHV10R0JE | Ohmite | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 120W | تحقيق |
|
TGHGCR0100DE | Ohmite | 100W SOT227 0.0100 OHM 0.5% | تحقيق |
|
TGHHV10K0JE | Ohmite | RES CHAS MNT 10K OHM 5% 120W | تحقيق |
|
TGHGCR0250FE | Ohmite | RES CHAS MNT 0.025 OHM 1% 100W | تحقيق |
|
TGHGCR0500DE | Ohmite | 100W SOT227 0.0500 OHM 0.5% | تحقيق |
|
TGHGCR0010DE | Ohmite | 100W SOT227 0.0010 OHM 0.5% | تحقيق |
|
TGHGCR0200FE | Ohmite | RES CHAS MNT 0.02 OHM 1% 100W | تحقيق |
|
TGHHV100RJE | Ohmite | RES CHAS MNT 100 OHM 5% 120W | تحقيق |
|
TGHGCR0050DE | Ohmite | 100W SOT227 0.0050 OHM 0.5% | تحقيق |
|
TGHGCR0050FE | Ohmite | RES CHAS MNT 0.005 OHM 1% 100W | تحقيق |
|
TGHGCR0750FE | Ohmite | RES CHAS MNT 0.075 OHM 1% 100W | تحقيق |
|
TGHGCR0020FE | Ohmite | RES CHAS MNT 0.002 OHM 1% 100W | تحقيق |
|
TGHGCR0005FE | Ohmite | RES CHAS MNT 500 UOHM 1% 100W | تحقيق |
|
TGHHV150RJE | Ohmite | RES CHAS MNT 150 OHM 5% 120W | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة