TG2016SBN 40.0000M-TCGNNM3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TG2016SBN 40.0000M-TCGNNM3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TG2016SBN 40.0000M-TCGNNM3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TG2016SBN 40.0000M-TCGNNM3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TG2016SBN 40.0000M-TCGNNM3
- رقم القطعة:
- TG2016SBN 40.0000M-TCGNNM3
- الصانع:
- Epson
- وصف:
- OSC TCXO 40.0000MHZ SNWV SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 37148 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TG2016SBN 40.0000M-TCGNNM3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1.8 V ~ 3.3 V |
| اكتب: | TCXO |
| حجم / البعد: | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| سلسلة: | TG2016SBN |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 4-SMD, No Lead |
| الناتج: | Sine Wave |
| اسماء اخرى: | SER4179TR TG2016SBN40.0000M-TCGNNM3 X1G004691012112 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 2A (4 Weeks) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.032" (0.80mm) |
| وظيفة: | - |
| تردد الاستقرار: | ±500ppb |
| تردد: | 40MHz |
| وصف تفصيلي: | 40MHz TCXO Sine Wave Oscillator 1.8 V ~ 3.3 V 4-SMD, No Lead |
| الحالي - توريد (ماكس): | 2mA |
| الحالي - توريد (تعطيل) (ماكس): | - |
| الرنان الأساسي: | Crystal |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTG2016SBN 40.0000M-TCGNNM3
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار