TEN 25-4811WI متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TEN 25-4811WI، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TEN 25-4811WI عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TEN 25-4811WI مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TEN 25-4811WI
- رقم القطعة:
- TEN 25-4811WI
- الصانع:
- TRACO Power
- وصف:
- DC DC CONVERTER 5V 25W
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40095 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TEN 25-4811WI.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - الناتج 4: | - |
| الجهد - المخرج 3: | - |
| الجهد - الناتج 2: | - |
| الجهد - الناتج 1: | 5V |
| الجهد - العزلة: | 1.5kV |
| الجهد - الإدخال (مين): | 18V |
| الجهد - الإدخال (ماكس): | 75V |
| اكتب: | Isolated Module |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 2.00" L x 1.60" W x 0.37" H (50.8mm x 40.6mm x 9.3mm) |
| سلسلة: | TEN 25WI |
| السلطة (واتس): | 25W |
| حزمة / كيس: | 7-DIP Module, 6 Leads |
| اسماء اخرى: | TEN 25-4811WI-ND TEN25-4811WI |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (With Derating) |
| عدد من المخرجات: | 1 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | Not Applicable |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | Remote On/Off, OTP, OVP, SCP, UVLO |
| كفاءة: | 85% |
| وصف تفصيلي: | Isolated Module DC DC Converter 1 Output 5V 5A 18V - 75V Input |
| الحالي - الناتج (ماكس): | 5A |
| التطبيقات: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTEN 25-4811WI
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة