TDL476M025M1E متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TDL476M025M1E، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TDL476M025M1E عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TDL476M025M1E مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TDL476M025M1E
- رقم القطعة:
- TDL476M025M1E
- الصانع:
- Cornell Dubilier Electronics
- وصف:
- CAP TANT 47UF 25V 20% RADIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 39887 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TDL476M025M1E.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 25V |
| اكتب: | Conformal Coated |
| تسامح: | ±20% |
| حجم / البعد: | 0.400" Dia (10.16mm) |
| سلسلة: | TDL |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مصنع رمز حجم: | E |
| عمر @ درجة الحرارة.: | - |
| تباعد الرصاص: | 0.200" (5.08mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.560" (14.22mm) |
| الميزات: | General Purpose |
| معدل الفشل: | - |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | - |
| وصف تفصيلي: | 47µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V Radial |
| مواسعة: | 47µF |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTDL476M025M1E
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي