TCR3UG12A,LF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TCR3UG12A,LF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TCR3UG12A,LF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TCR3UG12A,LF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TCR3UG12A,LF
- رقم القطعة:
- TCR3UG12A,LF
- وصف:
- IC REG LIN 1.2V 300MA 4WCSP-F
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48517 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TCR3UG12A,LF.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسرب الجهد (ماكس): | 0.857V @ 300mA |
| الجهد - الإخراج (دقيقة / ثابتة): | 1.2V |
| الجهد - الإخراج (ماكس): | - |
| الجهد - الإدخال (ماكس): | 5.5V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-WCSP-F (0.65x0.65) |
| سلسلة: | - |
| ميزات الحماية: | Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 4-XFBGA, WLCSP |
| PSRR: | 70dB (1kHz) |
| نوع المخرجات: | Fixed |
| تكوين الناتج: | Positive |
| اسماء اخرى: | TCR3UG12ALFCT |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TJ) |
| عدد من المنظمين: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | Linear Voltage Regulator IC 1 Output 300mA 4-WCSP-F (0.65x0.65) |
| الحالية - هادئة (Iq): | 580nA |
| الحالي - الناتج: | 300mA |
| ميزات التحكم: | Enable |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTCR3UG12A,LF
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC