TCET4600 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TCET4600، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TCET4600 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TCET4600 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TCET4600
- رقم القطعة:
- TCET4600
- وصف:
- OPTOISO 5.3KV 4CH TRANS 16-DIP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29122 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TCET4600.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - الإخراج (ماكس): | 70V |
| الجهد - العزلة: | 5300Vrms |
| فولتاج - فوروارد (ف) (تيب): | 1.25V |
| اصلاحات تشبع (ماكس): | 300mV |
| تشغيل / إيقاف الوقت (الكتابة): | 6µs, 5µs |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-DIP |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 3µs, 4.7µs |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| نوع المخرجات: | Transistor |
| اسماء اخرى: | 751-1372-5 TCET4600-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 100°C |
| عدد القنوات: | 4 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | AC, DC |
| وصف تفصيلي: | Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 4 Channel 16-DIP |
| نسبة نقل الحالية (مين): | 20% @ 5mA |
| نسبة نقل الحالية (ماكس): | 300% @ 5mA |
| الحالي - إخراج / قناة: | 50mA |
| الحالي - دس إلى الأمام (إذا) (ماكس): | 60mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTCET4600
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC