TCE1608G-900-4P متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TCE1608G-900-4P، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TCE1608G-900-4P عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TCE1608G-900-4P مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TCE1608G-900-4P
- رقم القطعة:
- TCE1608G-900-4P
- الصانع:
- TDK Corporation
- وصف:
- CMC 100MA 4LN 90 OHM SMD ESD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48434 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TCE1608G-900-4P.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - العاصمة: | 10V |
| تقييم الجهد - AC: | - |
| حجم / البعد: | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| سلسلة: | TCE |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 0603 (1608 Metric), 10 Lead |
| اسماء اخرى: | 445-9343-2 TCE1608G-900-4P-T200 TCE1608G-900-4P-T200-ND TCE1608G9004P |
| درجة حرارة التشغيل: | -25°C ~ 85°C |
| عدد من خطوط: | 4 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مقاومة @ التردد: | 90 Ohms @ 100MHz |
| ارتفاع (ماكس): | 0.020" (0.50mm) |
| نوع فلتر: | Signal Line |
| الميزات: | ESD |
| وصف تفصيلي: | 4 Line Common Mode Choke Surface Mount 90 Ohms @ 100MHz 100mA DCR 1.95 Ohm |
| دس المقاومة (دكر) (ماكس): | 1.95 Ohm |
| بطاقة سمك (مم): | 100mA |
| الموافقات: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTCE1608G-900-4P
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC