TC8220K6-G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TC8220K6-G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TC8220K6-G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TC8220K6-G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TC8220K6-G
- رقم القطعة:
- TC8220K6-G
- وصف:
- MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55700 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TC8220K6-G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.4V @ 1mA |
| تجار الأجهزة حزمة: | 12-DFN (4x4) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6 Ohm @ 1A, 10V |
| السلطة - ماكس: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 12-VFDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | TC8220K6-G-ND TC8220K6-GTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 2 (1 Year) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 56pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 2 N and 2 P-Channel |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel 200V Surface Mount 12-DFN (4x4) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTC8220K6-G
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM