TC7WT125FU(TE12L) متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TC7WT125FU(TE12L)، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TC7WT125FU(TE12L) عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TC7WT125FU(TE12L) مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TC7WT125FU(TE12L)
- رقم القطعة:
- TC7WT125FU(TE12L)
- وصف:
- IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SM8
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 53643 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TC7WT125FU(TE12L).pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SM8 |
| سلسلة: | TC7WT |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) |
| نوع المخرجات: | 3-State |
| اسماء اخرى: | TC7WT125FUTDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| عدد من عناصر: | 2 |
| عدد القطع لكل عنصر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع المنطق: | Buffer, Non-Inverting |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع المدخلات: | - |
| وصف تفصيلي: | Buffer, Non-Inverting 2 Element 1 Bit per Element 3-State Output SM8 |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 6mA, 6mA |
| رقم جزء القاعدة: | 7WT125 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTC7WT125FU(TE12L)
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار