TC74VHCT00AFTEL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TC74VHCT00AFTEL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TC74VHCT00AFTEL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TC74VHCT00AFTEL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TC74VHCT00AFTEL
- رقم القطعة:
- TC74VHCT00AFTEL
- وصف:
- IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 21448 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TC74VHCT00AFTEL.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-TSSOP |
| سلسلة: | TC74VHCT |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| اسماء اخرى: | 74VHCT00AFT(EL)CT 74VHCT00AFT(EL)CT-ND 74VHCT00AFTCT 74VHCT00AFTCT-ND TC74VHCT00AFT(EL)CT TC74VHCT00AFT(EL)CT-ND TC74VHCT00AFTELCT |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد من المدخلات: | 2 |
| عدد الدوائر: | 4 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 7.9ns @ 5V, 50pF |
| نوع المنطق: | NAND Gate |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 0.8V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 2V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | NAND Gate IC 4 Channel 14-TSSOP |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 2µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 8mA, 8mA |
| رقم جزء القاعدة: | 74VHCT00 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTC74VHCT00AFTEL
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي