TC74VHC10FTEL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TC74VHC10FTEL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TC74VHC10FTEL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TC74VHC10FTEL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TC74VHC10FTEL
- رقم القطعة:
- TC74VHC10FTEL
- وصف:
- IC GATE NAND 3CH 3-INP 14TSSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41929 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TC74VHC10FTEL.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 2 V ~ 5.5 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-TSSOP |
| سلسلة: | TC74VHC |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| اسماء اخرى: | 74VHC10FT(EL) 74VHC10FT(EL)TR 74VHC10FT(EL)TR-ND TC74VHC10FT(EL) TC74VHC10FT(EL)TR TC74VHC10FT(EL)TR-ND TC74VHC10FT-EL TC74VHC10FTELTR TC74VHC10FTTR TC74VHC10FTTR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد من المدخلات: | 3 |
| عدد الدوائر: | 3 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 7.9ns @ 5V, 50pF |
| نوع المنطق: | NAND Gate |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 0.5V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 1.5V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | NAND Gate IC 3 Channel 14-TSSOP |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 2µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 8mA, 8mA |
| رقم جزء القاعدة: | 74VHC10 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTC74VHC10FTEL
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي